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東京--(BUSINESS WIRE)--4 22, 2014--（ビジネスワイヤ） -- 東芝 は、世界で初めて 注１ １５nmプロセス 注２ を用いた2ビット／セルの１２８ギガビット（１６ギガバイト）のNAND型フラッシュメモリを開発しました。今月末から四日市工場の第５製造棟で、現行世代の１９nm第二世代品から切り替えて順次量産していきます。現在建設中の第５製造棟（第２期分）の完成後、今年の秋には同棟でも製造を行います。
世界初の15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリ （写真：ビジネスワイヤ）
新製品は、世界最先端の１５nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により、世界最小クラスのチップサイズを実現しました。１９nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等、また、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、１．３倍の速さである５３３メガビット／秒を実現しています。
当社は本プロセスを採用した３ビット／セル製品も第１四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定です。また、SSDの開発も進め、ノートPCなどへの搭載を図ります。
当社は、ロードマップ通り微細化を進めており、今後も積極的に最先端プロセスに切り替えることで、生産性を高め、競争力強化につなげていきます。また、スマートフォン、タブレット、薄型PC、メモリカードなどのコンシューマ製品に加え、高い信頼性が求められるデータセンタ向けのエンタープライズSSDなど多種多様なユーザニーズに対応するため、幅広い用途に向けた製品開発を進め、市場を牽引していきます。
注１ 当社調べ。２０１４年４月２３日現在。 注２ ｎｍ：ナノメートル。１０ －9 ｍ
Photos/Multimedia Gallery Available:http://www.businesswire.com/multimedia/home/20140422006899/ja/
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SOURCE: Toshiba Semiconductor & Storage Products Company
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PUB: 04/22/2014 10:00 PM/DISC: 04/22/2014 10:00 PM
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